Полевые МДП-транзисторы с индуцированным каналом p-типа

Полевые МДП-транзисторы имеют связь металла и полупроводника через диэлектрик. На рис.8.23 изображено условное обозначение полевого транзистора и схема его подключения к внешним источникам питания.

МДП-транзистор с индуцированным каналом p-типа имеет четыре электрода затвор (З), сток (С), исток (И) и подложку (П). Полупроводник состоит из пластины электронной проводимости n (подложки П), в которую встроены две пластины с дырочной проводимостью p, соединённых с электродами (С) и (И).

 

Рис.8.23. Условное обозначение полевого МДП-транзисторас индуцированным каналом p-типа и схема его подключения к внешним источникам питания

 

При отключенном источнике Ези и, включенном в обратном направлении относительно подложки П источнике Еси, между пластинами р проводимости связи нет. Сопротивление между стоком и истоком Rси = , транзистор находится в закрытом состоянии.

Рис.8.24. Совмещение выходных характеристик полевого МДП-транзисторас индуцированным каналом p-типа Iс = f(Uси) при Uзи = Const с входной характеристикой транзистора Iс = f(Uзи) при Uси = Const.

При включении питания Ези в обратном направлении относительно подложки, под действием электрического поля начнётся оттеснение электронов n из поверхностного слоя подложки вглубь её, образуя р – канал между истоком и стоком. Если уменьшать отрицательное напряжение между затвором и истоком, за счёт изменения сопротивления Rз, то сопротивление р – канала начнёт уменьшаться до нуля, транзистор откроется.

На рис.8.24 приведены статические характеристики транзистора.