Диэлектрическая изоляция

 

При таком методе изоляции (рисунок 4.3а) элементы схемы отделены друг от друга слоем двуокиси кремния. Паразитная емкостная связь между элементами C_П значительно меньше, чем в первом случае, так как диэлектрическая постоянная двуокиси кремния ниже, чем у кремния. Производство таких ИМС более трудоемкое, чем в предыдущих.

 

а) б)

Рисунок 4.3

 

Существуют так же другие методы изоляции, некоторые из них представляют видоизменение или комбинацию выше перечисленных [5].

Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор

 

Поскольку биполярные n-p-n транзисторы составляют основу ППИМС, рассмотрим их подробно, включая технологию изготовления.