Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с барьером Шотки

 

На рисунке 2.17 показана конструкция кремниевых высокочастотных диодов 2Д419А, 2Д419Б, 2Д419В с барьером Шотки, предназначенных для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц. Выпускаются диоды в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода приводится на корпусе. Маска диода не более 0,035г.

В настоящее время имеется значительное количество об­ластей техники, испытывающих потребность в полупроводни­ковых приборах повышенной (температура перехода более +200 °С) термостойкости. Напомним, что полупроводниковые приборы на кремнии имеют температуру перехода в пределах +100...+ 150 °С.

Наиболее освоенные в электронике полупроводниковые материалы, которые могли бы стать основой для разработки и выпуска полупроводниковых приборов повышенной термостой­кости, являются широкозонные материалы семейства А^IIIВ^V , например, арсенид галлия.

Арсенидгаллиевые выпрямительные диоды, имеют одина­ковую с кремниевыми диодами коммутируемую мощность, от­личаются в несколько раз меньшими массогабаритными пока­зателями, так как позволяют работать из-за повышенной ши­рины запрещенной зоны при температурах перехода до +240... +280 °С. Столь высокие допустимые значения температуры перехода обеспечивают также выигрыш в массе радиоэлек­тронных устройств за счет уменьшения теплорассеивающих элементов.

Другим преимуществом арсенида галлия по сравнению с кремнием является значительно большая подвижность носите­лей заряда, что позволяет использовать арсенидгаллиевые диоды в диапазоне частот преобразования 100...500 кГц, пе­реключая импульсные токи до 500 А с полным временем вклю­чения менее 10^-9 с. Это обстоятельство также приводит к уменьшению массо-габаритных показателей преобразователь­ных устройств при одновременном повышении их КПД.

В настоящее время промышленностью выпускаются ар­сенидгаллиевые диоды на импульсное обратное напряжение 100…600 В, средний прямой ток до 50 А, импульсное прямое напряжение до 2,5 В с временем обратного восстановления до 0,5 мкс.

На рисунке 2.18 показана конструкция арсенид-галиевых выпрямительных, быстро восстанавливающихся диодов 3Д4104-10, 3Д4104-10Х, 3Д4104-25, 3Д4104-25Х.

Рисунок 2.18 - Конструкция арсенид-галиевых выпрямительных,