Выпрямляющий контакт, физика

Пример “n-М”

Если работа выхода электронов из n-полупроводника меньше, чем из металла, (металл) А_м >А_n, то при образовании контакта часть электронов переходит из полупроводника в металл; в полупроводнике появляется обедненный слой (структура “М- n-n+ ”), содержащий положительный заряд ионов доноров, ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР….

 

В обе­дненном слое возникает электрическое поле, препятствую­щее диффузии электронов к контакту (т.е. наблюдаются процессы аналогичные, как в рассмотренном ранее p-n переходе).

 

Величина потенциального барьера (прямое падение напряжения) - 0,2-0,4 вольт.

Возникающий потенциальный барьер называется “барьером Шоттки”.

 

 

Рис. 5.9Образование потенциального барьера, переход М-n

 

Рассматриваемый переход обладает выпрямительным свойством.

 

Для п/п р– типа, чтобы переход обладал выпрямительным свойством, работа выхода электронов из металла должна быть меньше работы выходап/п.А_р>А_м см.р ис. 5.8

 

Барьер Шоттки (открыл нем. физик Вальтер Шоттки — Walter Schottky)