Электрический пробой

 

При движении через p-n переход под дейст­вием электрического поля неосновные носите­ли заряда приобретают достаточную энергию для ионизации атомов решетки.

 

Пройдя через p-n переход и двигаясь с большой скоростью внутри полупроводника, электроны сталкива­ются с нейтральными атомами и ионизируют их.

 

В результате ударной ионизации появляются новые свободные электроны и дырки, которые в свою очередь, разго­няются полем и создают возрастающее количество носителей заряда.

Этот процесс носит лавинообразный характер и приводит к значительному увеличе­нию обратного тока при постоянном обратном напряжении (обратная ветвь ВАХ p-n перехода, рис.5.4).

 

Возможны два типа электрического пробоя: лавинный пробой и туннельный пробой

 

Рис. 5.4 Пробой p-n перехода

 

Лавинный пробойобычно развивается в достаточно широких p-n переходах.

В тонких р-n переходах при большой напряженности электрического поля развивается туннельный пробой.

Электрический пробой обратим, первоначальные свойства p-n перехода полностью восстанавливаются, если от­ключить источник э.д.с. от перехода. Электрический пробой используют в качестве рабочего режима в диодах-стабилитронах.