Внутренняя структура полупроводника.
Лекция №1
Электрофизические свойства полупроводников.
Основными процессами в полупроводниковых приборах являются получение свободных носителей зарядов, управление их концентрацией, скоростью и направлением движения с помощью электрических и магнитных полей.
1. Что представляет собой полупроводник?
2. Как возникают свободные носители зарядов?
3. Какие факторы влияют на проводимость полупроводников?
Внутренняя структура полупроводника.
Полупроводниками называются материалы, занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками по электропроводности.
Удельное электрическое сопротивление проводников лежит в пределах 10-8 – 10-5 Ом.м, полупроводников –10-5…107 Ом.м, диэлектриков -107-1016 Ом.м. Для полупроводников характерна сильная зависимость проводимости от температуры, электрического поля, освещенности, сжатия и т.д.
В электронике наиболее широкое применение нашли германий, кремний, арсенид галлия, сульфид камия. В кристаллах германия связь между двумя соседними атомами осуществляется двумя валентными электронами, которые образуют ковалентную связь.
В результате внешняя орбита для каждого атома имеет как бы по восемь электронов и становится полностью заполненной. Полученная кристаллическая решетка является идеальной и полупроводники при Т-2730 являются идеальными изоляторами.
Рис. 1