Есептеу тапсырмалары

2.3.1 2.5 суретте көрсетілгендей, бір графикке транзистордың кіріс сипаттамаларын I_б=f(U_бэ) тұрғызыңыз, коллектордағы фиксирленген кернеулерде: U_кэ= 0В, U_кэ= 5В және U_кэ= 10В (2.1. және 2.2 кестелердегі деректер бойынша). Сипаттамалар бойынша графикалық әдіспен, ВАС қисық сызықты бөлігінің дәл ортасындағы аймақ үшін, h₁₁ және h₁₂ параметрлерін анықтаңыз,

h₁₁ = ΔU_бэ / ΔI_б – транзистордың кіріс дифференциалдық кедергісі,

h₁₂ = ΔU_бэ / ΔU_кэ = ΔU_бэ¹/(10В-5В) – ішкі кері байланыс коэффициенті.

Сурет 2.5

Сурет 2.6

2.3.2 Фиксирленген базалық тоқтарда, 2.3 кестесіндегі деректер бойынша, бір графикке транзистордың шығыс сипаттамаларын I_к=f(U_кэ) тұрғызыңыз. Сипаттамалар бойынша, 2.6 суретте көрсетілгендей, шамамен сипаттаманың ортасында орналасқан аймақ үшін графикалық әдіспен, h₂₁ және h₂₂ көрсеткіштерін анықтаңыз.

h₂₂= ΔI_к/ΔU_кэ – транзистордың шығыс дифференциалдық өткізгіштігі,

h₂₁ = ΔI_к¹/ ΔI_б = ΔI_к¹/( I_б¹¹¹-I_б¹¹) – базалық тоқты беру коэффициенті.

2.3.3 2.4 кестедегі деректер бойынша I_қ = f(U_қб) құймалық сипаттаманы тұрғызыңыз. R1 және R2 кедергілері үшін жүктеме сызығын жүргізіп, күшейту коэффициентін бағалаңыз.

2.3.4 2.5 кестедегі деректер бойынша I_қ = f(U_қб) транзистордың құйма тиектік сипаттамаларын тұрғызыңыз. Құйма кернеуінің әртүрлі мәндері үшін, транзистордың сипаттамасының тік тігін өлшеңіз.

2.3.5 2.6 кестедегі деректер бойынша, тиектегі кернеудің әртүрлі мәндері үшін, құйма – бастау арнасының кедергісін есептеңіз.

 

2.4 Бақылау сұрақтары

2.4.1 Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі, Э-Б және Б-К р-n ауысуларындағы физикалық процесстер.

2.4.2 Неге коллекторлық тоқ коллекторлық кернеуге аз тәуелді?

2.4.3 ОБ сұлбасымен қосылған транзистордың кіріс және шығыс сипаттамаларын сызып көрсетіңіз.

2.4.4 ОЭ сұлбасымен қосылған транзистордың кіріс және шығыс сипаттамаларын сызып көрсетіңіз.

2.4.5 Активті 4 ұштық ретіндегі, транзистордың h-параметрлер жүйесінің артықшылықтары қандай?

2.4.6 Биполярлық транзистордың өрістік транзистордан басты айырмашылықтары?

2.4.7 Тиек-бастау p-n ауысуына кері кернеу түсіргенде, арнада қандай өзгерістер болады?

2.4.8 Зерттелген транзистордан басқа, өрістік транзистордың тағы қандай түрлерін білесіз?

2.4.9 Оқшауланған тиекті өрістік транзистордың бастау–құйма арнасының тоғы немен басқарылады?

2.4.10 Биполярлық транзистормен салыстырғанда өрістік транзистордың артықшылықтары қандай?

3 Зертханалық жұмыс. Терістейтін және терістемейтін күшейткіштерді зерттеу

3.1 Жұмыстың мақсаты:

- резистивті кері байланысы(КБ) бар, операциялық күшейткіш (ОК) негізіндегі терістейтін күшейткішті зерттеу;

- резистивті кері байланысы(КБ) бар, операциялық күшейткіш (ОК) негізіндегі терістемейтін күшейткішті зерттеу.

 

3.2 Алдын ала дайындық

3.2.1 Алдын ала, зертханалық жұмыстарды орындамас бұрын, ұсынылған әдебиеттер бойынша, операциялық күшейткіштер (ОК), теріс кері байланысы бар ОК бойынша теориялық мағлұматтарды оқыңыз.

3.2.2 Зертханалық жұмысқа тапсырмаларды және оған жазылған әдістемелік нұсқауларды оқыңыз.

3.2.3 Анықтама кітабы бойынша ОК интегралдық сұлбасының шықпаларының орналасу сұлбасын және құжаттық деректерін жазып алыңыз.

 

3.3 Қолданылатын аспаптар мен элементтер:

3.3.1 РU–2000 орталық процессоры.

3.3.2 ЕВ–111 баспа платасы.

3.3.3 Цифрлық әмбебап аспап.

3.3.4 Осциллограф.