Биполярные магнитотранзисторы

Обычно биполярные транзисторы мало чувствительны к магнитному полю. Поперечное поле искривляет траекторию неосновных носителей, идущих через базу. Это эквивалентно

уменьшению эффективной подвижности носителей в базе. Однако из-за малой толщины базы все носители достигают коллектора. Другая причина изменения параметров транзистора в магнитном поле связана с изменением сопротивления базы. Для повышения чувствительности к магнитному полю биполярные транзисторы делают с двумя коллекторными переходами. В отсутствии поля половина носителей попадает на первый коллектор, другая половина – на второй. Магнитное поле отклоняет носители от одного коллектора к другому. По изменению токов коллекторов можно измерить магнитную индукцию – рис. 5.6.

Чувствительность магнитотранзисторов на несколько порядков выше, чем у датчиков Холла: Z = (2 – 4)∙10⁵ .

 

 

Рис. 5.6. Биполярный магнитотранзистор с двумя

коллекторными переходами и схема его включения

Контрольные вопросы

1. В чем заключается эффект Холла?

2. Что такое магниторезистивный эффект?

3. Почему в датчиках Холла используются полупроводниковые материалы с высокой подвижностью носителей заряда?

4. В чем преимущества использования широкозонных полупроводниковых материалов для датчиков Холла?

5. Какую конструкцию должны иметь магниторезисторы?

6. Какие диоды используются для измерения величины магнитного поля?

7. Что такое биполярный магнитотранзистор?

8. Что называется магниточувствительностью датчиков Холла?

9. Какое применение находят датчики Холла?

10. Как используются ферромагнитные материалы для измерения магнитных полей?

11. Перечислите основные параметры датчиков Холла.

12.Что такое диск Корбино?

13. В одну ли сторону отклоняются магнитным полем электроны и дырки?

14. Почему датчики Холла создаются на основе полупроводниковых материалов, хотя эффект Холла наблюдается и в металлах?